今天給大家介紹一下工控機BIOS常見的內存設置。目前的主流平臺已經基本普及DDR4內存，我們下面的說明均以DDR4內存為例。

　　ExtremeMemoryProfile[X.M.P.]：

　　這是一種內存認證標準，可以直接選擇內存的XMP狀態(tài)，即可自動設定為最佳運行模式。

　　DRAMReferenceclock：

　　內存參考源時鐘，可以看作是內存的“外頻”。目前的高頻內存實際上是從這一基本頻率進行翻倍得到的。由于DDR4的倍頻設置比較復雜，建議使用Auto模式，需要修改頻率的時候直接設置XMP或者內存工作頻率即可。

　　DRAMFrequency：

　　內存工作頻率，即DDR4的等效工作頻率，例如DDR42666的頻率為2666MHz，也有些主板會標注為一半，即DDR42666設置為1333，DDR42800則設置為1400。

　　PrimaryTiming：

　　第一時序，內存的響應時間等工作細節(jié)，可調節(jié)項目一半包括CL、tRP、tRCD、tRAS。在一些內存的參數貼紙上會標注有相關信息。

　　CASLatency：

　　內存CL，也稱tCL值。這是發(fā)送給內存地址的數據起始延遲，是最影響內存性能的一個時序參數，直接影響到內存的延遲。

　　RAStoCASDelay：

　　tRCD值，打開內存行和訪問內存列的延遲周期，一般比前兩個值高1-2。

　　RowPrecharge：

　　tRP值，RAStoCASDelay的充電周期通常和RAStoCAsdelay設置的值一樣。

　　RASActiveTime：

　　trAs值，內存顆粒激活與發(fā)出內存充電指令的周期。這個參數必須比前兩個值加起來大比如內存為16-16-16-36，那么最后這個值必須比16+16=32要大。通常情況下為了穩(wěn)定性，還要再稍微加一些周期，比如設置在36。

　　以上就是我今天給大家介紹的工控機BIOS常見的內存設置。

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